在晶圆制造前道过程的不同工艺阶段点，往往需要对wafer进行厚度（THK）、翘曲度（Warp）、膜厚、关键尺寸（CD）、套刻（Overlay）精度等量测，以及缺陷检测等；用于检测每一步工艺后wafer加工参数是否达到设计标准，以及缺陷阈值下限，从而进行工艺控制与良率管理。半导体前道量检测设备，要求精度高、效率高、重复性好，量检测设备一般会涉及光电探测、精密机械、电子与计算机技术，因此在半导体设备中，技术难度高。

在wafer基材加工阶段，从第一代硅，第二代砷化镓到第三代也是现阶段热门的碳化硅、氮化镓衬底都是通过晶锭切片、研磨、抛光后获得，每片衬底在各工艺后及出厂前，都要对厚度、翘曲度、弯曲度、粗糙度等几何形貌参数进行系统量测，需要相应的几何形貌量测设备。

下图为国内某头部碳化硅企业产品规范，无论是production wafer，research wafer，还是dummy wafer，出厂前均要对几何形貌参数进行量测，以保证同批、不同批次产品的一致性、稳定性，也能防止后序工艺由于wafer warpage过大，产生碎片、裂片的情况。

WD4000系列无图晶圆几何量测系统，适用于线切、研磨、抛光工艺后，进行wafer厚度（THK）、整体厚度变化（TTV）、翘曲度（Warp）、弯曲度（Bow）等相关几何形貌数据测量，能够提供Thickness map、LTV map、Top map、Bottom map等几何形貌图及系列参数，有效监测wafer形貌分布变化，从而及时管控与调整生产设备的工艺参数，确保wafer生产稳定且高效。

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